北京时间7月4日上午消息，韩国三星电子有限公司本周二表示，计划在韩国投资至少21.4万亿韩元（约合186.3亿美元），以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。
这家营收居位全球第一位的存储芯片制造商表示，到2021年，该公司在平泽市的新NAND工厂总计投入将达到14.4万亿韩元，其中的6万亿韩元将用于建造一条新的半导ti生产线，但未对时间或产品加以详细说明。
由于市场对长期数据存储芯片的需求不断增长，该公司还将在中国西安的NAND工厂增设一条生产线，但没有设定投资金额或时间框架。
外界普遍预计，三星和其他内存生产商将在2017年实现利润创纪录，因为智能手机和服务器的新能不断提高，从而导致价格上涨。行业消息人士和分析师表示，由于高端存储产品的普及，NAND芯片的短缺问题更为严重。
一些分析师表示，三星的生产技术至少要比东芝和SK海力士（SK Hynix Inc））等竞争对手领先一年。三星每年在半导ti领域的投资超过100亿美元，帮助其保持领先优势。分析师表示，最新投资旨在拉大这一差距。
近年来，三星、东芝和SK海力士已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的生产，但分析师和业内人士表示，由于新设备在2017年无法提供有意义的供应，短缺可能至少持续到明年。
一些分析师表示，这种额外的产能可能会在2018年初造成轻微的供应过剩，但随着智能手机制造商选择更大的内部存储，价格崩溃的现象不太可能发生。市场对用于云计算和虚拟现实应用程序的高端服务器存储的需求也将继续增长。
“我相信，2020年之前，NAND市场环境将继续利好供应商，”HMC投资分析师Greg Roh表示。他说，任何供应过剩的问题都将是暂时的，而且仅限于季节新较弱的时期。
三星表示，对韩国的投资是为了响应新总统文在寅的号召，将在2021年创造多达44万个就业机会，并将有助于提振经济。
该公司周二还表示，三星显示器公司计划在韩国新成立一家企业，生产有机发光二极管显示器，投资约1万亿韩元。（斯眉）
