为证明自己在全球晶圆代工的领先地位,三星电子(Samsung Electronics)与台积电不约而同在2017国际固态电路大会(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)发表了各自最新的制程技术,然而2家厂商偷露了相当不同的7奈米制程发展方向。
根据EE Times报导,台积电赢得了苹果(Apple) iPhone SoC大部分的订单后,积极于2017年投入了10奈米晶片的量产推进,并预计于2018年开始提升7奈米晶片的产量,以应付iPhone 8(暂订)的需求。另一方面,没有了苹果订单的压力,三星不需急于投入7奈米制程,而是打算借由极紫外光显影技术(EUV)展现晶圆代工实力。
SRAM被视为是推动下一代节点技术的关键。台积电在ISSCC上展示的7奈米制程256 Mb SRAM测试晶片,存储单元(bit-cell)面积仅有0.027平方公厘,是2017年进入风险生产的SRAM当中,ti积最小的。其SRAM巨集将使用7层金属层,晶粒总面积为42平方公厘,比台积电的16奈米版本小了0.34倍。
更重要的是,台积电表示其以7奈米制程打造的SRAM测试晶片,其良率已经展现相当水准,达成台积电的设计目标。
三星的技术进展则是侧重在研究方面。三星发展出了一套创新的修复程序,并分别针对既有曝光机与EUV设备进行测试,结果证实EUV的确拥有较佳的表现。
然而修复程序并不是生产流程的一部分,因此无法说明三星是否已准备好将EUV应用在7奈米制程。三星在大会上发表的8 Mb测试SRAM晶片,也未使用EUV。
专家认为到了2020年,EUV便可应用在某些关键层上。三星曾在2016年底时表示,他们将会把EUV运用在7奈米制程,但并未偷露使用的范围。
三星的7奈米时程或许会落后台积电1到3年,但三星的7奈米一旦起步,就可偷过导入EUV的使用,至少在行销策略上取得更大的优势,三星打的算盘类似2015年台积电16奈米制程与三星14奈米制程代工iPhone AP之对垒一般,台积电的16奈米制程打造的iPhone系统单晶片,其实在散热方面更优于三星一筹,但外行人却从奈米制程表面的数字,以为台积电制程技术落后于三星。 TOP