东芝和日本产业技术综合研究所自旋电子学研究中心的研究小组开发出了可降低电压驱动型非易失新磁内存“电压扭矩MRAM”的写入误码率的新写入方式。将在“IEDM 2016”上发表（演讲编号：27.5）。

　　这种内存与原来的电流驱动型STT-MRAM相比，特点是写入电流小，容易降低耗电量。但目前写入时误码率高，是实用化面临的一个重要课题。此次新开发的写入方式能够成为解决这一课题的手段。

　　顾名思义，电压驱动型MRAM就是加载脉冲电压，使存储单元（MTJ元件）的磁化发生反转，从而写入信息。这时，如果加载负偏压且是脉冲宽度在1ns以下的高速脉冲电压，就有利于降低写入误码率。

　　不过，原来的磁内存用写入电路，布线的充放电需要时间，因此很难加载脉冲宽度在1ns以下且波形漂亮的脉冲电压。